全譜直讀等離子體發(fā)射光譜儀

OES直讀光譜儀介紹：

OES全譜真空型直讀光譜儀器優(yōu)勢(shì)：

1、CCD/CMOS全譜光譜儀制造技術(shù)（數(shù)字化技術(shù)替代老式體積龐大笨重的光電倍增電子管模擬技術(shù)）、通道不受限制 ；

2、國(guó)內(nèi)生產(chǎn)真空CCD/CMOS全譜技術(shù)光譜儀的制造商；

3、基體范圍內(nèi)通道改變、增加不需費(fèi)用

4、升級(jí)多基體方便，無(wú)須變動(dòng)增加硬件 ；

5、優(yōu)良的數(shù)據(jù)穩(wěn)定性，同一樣品不同的時(shí)間段分析，可獲得良好的數(shù)據(jù)一致性 ；

6、體積小、重量輕， 移動(dòng)安裝方便 ；

7、高集成度、高可靠性、高穩(wěn)定性 ；

OES全譜真空型直讀光譜分析主要特點(diǎn)：

1、可測(cè)定包括痕量碳（C），磷（P）,硫（S）元素,適用于多種金屬基體，如：鐵基，鋁基，銅基，鎳基，鉻基，鈦基，鎂基，鋅基，錫基和鉛基。全譜技術(shù)覆蓋了全元素分析范圍，可根據(jù)客戶(hù)需要選擇通道元素；

2、分析速度快捷，20秒內(nèi)測(cè)完所有通道的元素成分。針對(duì)不同的分析材料，通過(guò)設(shè)置預(yù)燃時(shí)間及標(biāo)線(xiàn)，使儀器用短的時(shí)間達(dá)到優(yōu)的分析效果；

3、光學(xué)系統(tǒng)采用真空恒溫光室， 激發(fā)時(shí)產(chǎn)生的弧焰由透鏡直接導(dǎo)入真空光室，實(shí)現(xiàn)光路直通,消除了光路損耗，提高檢出限，測(cè)定結(jié)果準(zhǔn)確，重現(xiàn)性及長(zhǎng)期穩(wěn)定性好；

4、特殊的光室結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使真空室容積更小；

5、自動(dòng)光路校準(zhǔn)，光學(xué)系統(tǒng)自動(dòng)進(jìn)行譜線(xiàn)掃描，確保接收的正確性，免除繁瑣的波峰掃描工作。儀器自動(dòng)識(shí)別特定譜線(xiàn)，與原存儲(chǔ)線(xiàn)進(jìn)行對(duì)比，確定漂移位置，找出分析線(xiàn)當(dāng)前的像素位置進(jìn)行測(cè)定；

6、開(kāi)放式的電極架設(shè)計(jì)，可以調(diào)整的樣品夾，便于各種形狀和尺寸的樣品分析；

7、工作曲線(xiàn)采用國(guó)際標(biāo)樣，預(yù)做工作曲線(xiàn)，可根據(jù)需要延伸及擴(kuò)展范圍，每條曲線(xiàn)由多達(dá)幾十塊標(biāo)樣激發(fā)生成，自動(dòng)扣除干擾；

8、HEPS數(shù)字化固態(tài)光源，適應(yīng)各種不同材料 ；

9、固態(tài)吸附阱，防止油氣對(duì)光室的污染，提高長(zhǎng)期運(yùn)行穩(wěn)定性；

10、銅火花臺(tái)底座，提高散熱性及堅(jiān)固性能；

11、合理的氬氣氣路設(shè)計(jì)，使樣品激發(fā)時(shí)氬氣沖洗時(shí)間縮短，為用戶(hù)節(jié)省氬氣；

12、采用鎢材料電極，電極使用壽命更長(zhǎng)，并設(shè)計(jì)了電極自吹掃功能，清潔電極更加容易；

13、高性能DSP及ARM處理器，具有高速數(shù)據(jù)采集及控制功能并自動(dòng)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)光室溫度、真空度、氬氣壓力、光源、激發(fā)室等模塊 的運(yùn)行狀況；

14、儀器與計(jì)算機(jī)之間采用以太網(wǎng)連接，抗干擾性能好，外部計(jì)算機(jī)升級(jí)與儀器配置無(wú)關(guān)，使儀器具有更好的適用性；

15、核心器件全部原裝，保證了儀器優(yōu)秀品質(zhì)。

OES全譜直讀光譜儀應(yīng)用CCD/CMOS光譜儀技術(shù), 廣泛應(yīng)用于冶金、鑄造、機(jī)械、汽車(chē)制造、航空航天、兵器、金屬加工等領(lǐng)域的生產(chǎn)工藝控制，爐前化驗(yàn)，中心實(shí)驗(yàn)室成品檢驗(yàn)。

OES落地式全譜真空式直讀光譜儀體積小、穩(wěn)定性好、檢測(cè)限低、分析速度快、運(yùn)行成本低、操作維護(hù)方便，是控制產(chǎn)品質(zhì)量的理想選擇。

全譜直讀等離子體發(fā)射光譜儀